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硅衬底氮化镓基激光器将大幅降低器件制造成本

来源:天博体育网站登录   发布时间:2022-04-22 23:01nbsp;  点击量:

本文摘要:中科院苏州纳米技术与纳米仿生所研究员杨辉团队在硅上研制出第三代半导体氮化镓基激光器,这也是世界上第一支可以在室温下倒数工作的硅衬底氮化镓基激光器。涉及研究成果近日刊出在《大自然光子学》。 中科院苏州纳米技术与纳米仿生所研究员杨辉团队在硅上研制出第三代半导体氮化镓基激光器,这也是世界上第一支可以在室温下倒数工作的硅衬底氮化镓基激光器。 涉及研究成果近日刊出在《大自然光子学》。

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中科院苏州纳米技术与纳米仿生所研究员杨辉团队在硅上研制出第三代半导体氮化镓基激光器,这也是世界上第一支可以在室温下倒数工作的硅衬底氮化镓基激光器。涉及研究成果近日刊出在《大自然光子学》。  中科院苏州纳米技术与纳米仿生所研究员杨辉团队在硅上研制出第三代半导体氮化镓基激光器,这也是世界上第一支可以在室温下倒数工作的硅衬底氮化镓基激光器。

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涉及研究成果近日刊出在《大自然光子学》。  随着半导体科技的高速发展,科技工作者找到基于传统技术路线来展开芯片与系统之间的数据通信更加无法符合更慢的通信速度以及更高的系统复杂度的市场需求。第三代半导体氮化镓在发光二极管LED和激光器等闪烁器件领域早已构建了广泛应用,为人类的高效节约能源灯光做出了巨大贡献。  然而,由于第三代半导体氮化镓的热膨胀系数大约是硅的两倍,在硅衬底上高温(1000℃左右)生长沉积的氮化镓材料在降温时偏向于较慢膨胀,受到硅衬底向外推挤的极大张应力,因此氮化镓材料在降至室温过程中一般来说不会再次发生下陷,产生的微裂纹和其他缺失严重影响材料质量和器件性能。

  在硅衬底上必要生长沉积高质量的第三代半导体氮化镓材料,不仅可以利用大尺寸、低成本硅晶圆及其自动化工艺线大幅度降低氮化镓基器件的生产成本,还将为激光器等光电子器件与硅基电子器件的系统集成获取一种新的技术路线。  研究人员不仅顺利诱导了因氮化镓材料与硅之间热膨胀系数不给定而经常引发的下陷,而且大幅度降低了氮化镓材料中的缺失密度。


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